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單片機GD32F205RCT6外擴SRAM

2018-09-18 11:33:57

       GD32F205RCT6是基於Cortex M3內核32bit(位)通用型MUC產品,主頻為120MHz, 片內閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓範圍為2.6V-3.6V,內核的供電電壓為1 .2V, l/O口可承受5V電平,內嵌實時時鍾(RTC) 和2個看門狗(WDG), 集成了豐富的外設功能,這款單片機GD32F205RCT6麵向工業和消費類嵌入式應用,適用於工業自動化、人機界麵、電機控製、安防監控、智能家居家電及物聯網等,  

      單片機GD32F205RCT6內置SRAM為128KB的內存,但在麵對實際上的應用設計中,如果出現單片機內置SRAM內存不夠的情況,大部分設計人員會考慮外擴SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在讀寫限製的問題,確實是考慮外擴內存的首選,但如果采用並口外擴內存需要較多的MCU管腳,給MCU無形中帶來了更多功能性的限製,並且也並非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作為單片機外擴的資源,相對來說更好,串行SRAM隻需要八個管腳,SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的麵板麵積,

      GD32F205RCT6這款MCU是支持SPI接口的,並且有三個SPI,可以通過用SPI接口外擴串行SRAM對單片機進行內存的拓展。串行SRAM其實嚴格來說是一種偽靜態SRAM,也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協議(無需刷新,無需DRAM控製器)、具有DRAM單管存儲結構的存儲器,比SRAM容量大很多,價格便宜很多,比SDRAM容易使用,功耗也低很多。不失為外擴單片機內存的一種解決方案。

      我司推薦一款串行SRAM,容量為8MB並有高達50MB/s的帶寬。隻需要由SPI或QPI接口並可以使用,可以提供400MB/s或者3.2Gbps的數據吞吐速率。

以下為型號參考:

Density Organization Part NO. Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC


本文關鍵詞:SRAM

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