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技術支持

串行SRAM的產品介紹

2018-01-04 10:38:46

        MICROCHIP美國微芯推出業內容量最大、速度最快的四款串行serial SRAM新器件,為其串行SRAM產品線增添了新的產品組合,目前這些串行SRAM是業內首批5V電壓工作的產品,於我司其他代理品牌VTI的差別在於電壓稍微較大,我司另外代理品牌VTI的串行SRAM工作電壓目前為3.3V,品牌VTI的容量可以高達64Mbit,,而且為8引腳的封裝8-SOIC設計,更適合體積較小的應用產品,MICROCHIP美國微芯推出的串行SRAM廣泛適用於汽車和工業應用。器件可通過四路SPI或SQI™協議可實現高達80 Mbps的速度,為卸載圖形、數據緩衝、數據記錄、顯示、數學、音頻、視頻及其他數據密集型功能提供所需的近乎瞬時數據傳送及零寫入時間。
        MICROCHIP美國微芯推出的串行SRAM中其中型號為23LCV512和23LCV1024,可以通過外部電池備份提供無限次耐用性、非易失性RAM低成本低功耗的方案選擇,事實上,憑借其40 Mbps的快速雙SPI(SDI)吞吐量以及低運行電流和休眠電流,這些串行NVSRAM器件可以高速工作,沒有並行NVSRAM高引腳數的缺點,其功耗可媲美FRAM,且價格更為低廉。這將有利於電表、黑匣子及其他數據記錄應用,這些應用需要無限耐用性或瞬時寫入以及非易失性存儲。
 
以下是串行SRAM的型號參考:
BRAND Density Part number Voltage Speed(MHz) Temp.-Range PKG
MICROCHIP 1Mb 23A1024 1.7 - 2.2V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP 1Mb 23LC1024 2.5 - 5.5V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP 1Mbit 23LCV1024 2.5 - 5.5 20 -40°C to +85°C SPI,SDI
MICROCHIP 512Kb 23A512 1.7 - 2.2V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP 512Kb 23LC512 2.5 - 5.5V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP 512Kbit 23LCV512 2.5 - 5.5 20 -40°C to +85°C SPI,SDI
MICROCHIP 256Kb 23A256 1.7-1.95V 16 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP 256Kb 23K256 2.7-3.6V 20 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP 64Kb 23A640 1.7-1.95V 16 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP 64Kb 23K640 2.7-3.6V 20 -40℃ to +85℃ SOIC, PDIP, TSSOP
VTI 64Mbit VTI7064LSM 1.8 133 C,I 8-SOIC
VTI 64Mbit VTI7064MSM 3 20 C,I 8-SOIC
VTI 64Mbit VTI7064MSM 3 133 C,I 8-SOIC
VTI 64Mbit VTI7064LSM 1.8 20 C,I 8-SOIC
VTI 32Mbit VTI7032LSM 1.8 20 C,I 8-SOIC
VTI 32Mbit VTI7032LSM 1.8 133 C,I 8-SOIC
VTI 16Mbit VTI7016LSM 1.8 133 C,I 8-SOIC
VTI 16Mbit VTI7016LSM 1.8 20 C,I 8-SOIC
VTI 1Mbit VTI7001NSM 3.3 20 C,I 8-SOIC
VTI 1Mbit VTI7001LSM 1.8 20 C,I 8-SOIC
VTI 512Kbit VTI7512NSM 3.3 20 C,I 8-SOIC
VTI 512Kbit VTI7512LSM 1.8 20 C,I 8-SOIC
VTI 256Kbit VTI7256NSM 3.3 20 C,I 8-SOIC
VTI 256Kbit VTI7256LSM 1.8 20 C,I 8-SOIC
VTI 128Kbit VTI7128NSM 3.3 20 C,I 8-SOIC
VTI 128Kbit VTI7128LSM 1.8 20 C,I 8-SOIC

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