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Everspin推出的第一款STT-MRAM

2018-05-03 11:25:38

Everspin最新的MRAM技術是利用自旋扭矩傳輸特性,即利用極化電流來控製電子的自旋,從而建立自由層的所需磁狀態,從而對存儲器陣列中的位進行編程或寫入。
 
與Toggle MRAM相比,自旋轉矩MRAM或STT-MRAM可顯著降低開關能量,並具有高度可擴展性,可實現更高密度的存儲器產品。亚游官网的第三代MRAM技術使用垂直MTJ。亚游官网開發了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆疊設計,可提供長數據保持率,小單元尺寸,更高密度,高耐用性和低功耗。
 
Everspin推出的第一款STT-MRAM產品采用ST-DDR3,這是一種類似JEDEC的DDR3接口,並需要進行一些修改以充分利用MRAM技術的持久性。這些產品的性能如同持久性DRAM,但無需刷新。其他產品計劃將利用高速串行接口用於各種嵌入式應用。
STT-MRAM

本文關鍵詞:STT-MRAM

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