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Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM

2018-07-16 14:43:57

Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序,沒有寫入延遲,而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲器不同,這些存儲器的讀/寫操作沒有寫入延遲。

對於必須通過一小部分I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用,這些Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。此係列MRAM采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝封裝,並且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。

MR25H40CDC能夠運行於工業級(-40°至+85 °C)並在整個溫度範圍內提供高度可靠的數據存儲能力,並可以保持數據不丟失20年,已廣泛用在數據存儲、工業自動化、遊戲、能源管理、通訊、運輸領域。

以下是Everspin串口MRAM的型號:

Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V -40℃to+85℃
4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V -40℃to+85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
256Kb 32Kx8 MR25H256CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
256Kb 32Kx8 MR25H256CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128APDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128APDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDF 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDFR 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃

本文關鍵詞:Everspin 串行MRAM

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