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SDRAM

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態隨機存儲器)的簡稱,SDRAM采用3.3v工作電壓,帶寬64位,SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起,使RAM和CPU能夠共享一個時鍾周期,以相同的速度同步工作,與 EDO內存相比速度能提高50%。SDRAM基於雙存儲體結構,內含兩個交錯的存儲陣列,當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時,另一個就已為讀寫數據做好了準備,通過這兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存,在顯示卡上的顯存方麵也有廣泛應用。
SDRAM之所以成為DRAM就是因為它要不斷進行刷新(Refresh)才能保留住數據,因為刷新(Refresh)是DRAM最重要的操作。那麽要隔多長時間重複一次刷新,目前公認的標準是,存儲體中電容的數據有效保存期上限是64ms(毫秒,1/1000秒),也就是說每一行刷新的循環周期是64ms。這樣刷新速度就是:64ms/行數量。4480新热播影院在看內存規格時,經常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標識,這裏的4096與8192就代表這個芯片中每個Bank的行數。刷新命令一次對一行有效,發送間隔也是隨總行數而變化,4096行時為15.625μs(微秒,1/1000毫秒),8192行時就為7.8125μs。HY57V561620為8192 refresh cycles / 64ms。
SDRAM是多Bank結構,例如在一個具有兩個Bank的SDRAM的模組中,其中一個Bank在進行預充電期間,另一個Bank卻馬上可以被讀取,這樣當進行一次讀取後,又馬上去讀取已經預充電Bank的數據時,就無需等待而是可以直接讀取了,這也就大大提高了存儲器的訪問速度。
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